삼성전자 '황의 법칙' 8년째 입증(종합)

삼성전자가 업계 최소 선폭 최대 용량의 30나노미터 64기가비트(Gb) 낸드플래시메모리 개발에 성공했다.

30나노 기술은 머리카락 두께를 4천개로 나눈 것 중의 한 가닥 정도에 해당하는 초미세 기술이다. 64Gb 용량은 세계 인구 65억명의 약 10배에 해당하는 640억개의 메모리 저장 장소가 손톱만한 크기에 집적돼, 한 치의 오차 없이 작동되고 있음을 의미하는 것. 이는 현재의 반도체 분야에서 최첨단 기술이다.

삼성전자는 '반도체 집적도가 1년에 두 배씩 증가한다'는 황창규 반도체총괄 사장의 주장(일명 '황의 법칙')이 8년째 입증됐다고 23일 발표했다.

이번 30나노 64Gb 낸드플래시는 지난해 삼성전자가 세계 최초로 40나노 32Gb 낸드플래시를 개발했을 때 처음 적용한 'CTF(Charge Trap Flash)' 기술을 기반으로 하고 있다. 여기에 기존 'DPT(Double Patterning Technology)' 기술과 차별화 된 삼성전자의 독창적 'DPT 기술(SaDPT, Self-aligned Double Patterning Technology)'을 비롯해 첨단 설계·소자·레이아웃 등 기술을 집대성해 32나노 64Gb 낸드플래시 개발에 성공했다.

'CTF'는 기존 고정 관념을 바꿔 전하를 도체가 아닌 부도체에 저장, 셀 간 정보 간섭을 최대한 억제함으로써 지난해까지만 해도 한계로 알려져 왔던 50나노 장벽을 허물고 40나노급 이하에서 상용화 가능성을 최초로 제시한 기술이다.

이번에 'CTF'와 함께 적용된 'SaDPT' 기술은 기존 'DPT' 기술을 한 단계 더 발전시켰다. 'DPT'는 설비가 가지고 있는 고유의 한계보다 더욱 미세한 패턴을 실현, 한 세대 앞선 공정의 제품을 구현할 수 있도록 한 기술이다.

삼성전자는 이번 기술을 20나노급까지도 확대 적용해 제품화 가능성을 제시했다. 이는 20나노 256Gb까지 적용할 수 있는 'CTF' 기술을 기반으로 이번에 'SaDTP'가 결합되면서 시너지 효과를 발휘해 가능할 것으로 기대되고 있다. '황의 법칙'이 내년에도 이어질 수 있다는 기대감을 갖게 하는 것은 물론이다.

뿐만 아니라 삼성전자는 이번 개발 제품의 오는 2009년 이후 상용화를 위한 준비 또한 'SaDPT' 기술을 기반으로 원활히 해 나가고 있다고 밝혔다. 회사 측은 "이번 30나노 64Gb 낸드플래시 개발과 새로운 공정기술의 적용은 기가 이후의 테라 시대 진입을 향한 반도체 산업 전체의 한 단계 도약에도 크게 기여할 것"이라고 자체 평가했다.