[재계 新성장 투자] 삼성, 메모리 '초격차' 강화…시스템반도체 1위 도약

[아이뉴스24 민혜정 기자] 삼성이 '향후 5년간 450조원 투자 계획'을 통해 '반도체 초강대국' 달성을 주도하겠다는 포부를 밝혔다. 최근 조 바이든 미국 대통령이 첫 방한에 첫 행선지로 평택 반도체 공장을 찾으면서 삼성 반도체는 K-반도체의 국가대표로 존재감을 뽐냈는데 삼성이 여기에 정체되지 않겠다고 선언한 셈이다.

현재 1위인 메모리반도체는 물론 반도체 설계(팹리스) 기반의 시스템반도체, 반도체 위탁생산(파운드리)도 약진해 반도체 3대 분야를 모두를 주도하는 초유의 기업이 되겠다는 공격적인 목표를 내걸었다.

삼성은 지난 30년간 선도해 온 메모리 분야에 향후 5년간 지속투자해 '초격차' 위상을 강화하기로 했다고 24일 밝혔다.

삼성은 30여년간 압도적인 경쟁력을 보이고 있는 메모리 시장에서도 경쟁 업체의 도전은 거세지고 있다고 진단했다.

이 회사 관계자는 "메모리 산업에서 '세계 최초 = 삼성'이라는 상식에 균열이 발생했다"며 "거대한 내수시장과 국가적인 지원을 받고 있는 중국 메모리 업체의 성장도 위협적"이라고 말했다.

그러나 삼성전자는 첨단기술의 선제적 적용으로 이같은 추격을 따돌리며 메모리 분야의 시장 점유율을 확장한다는 전략이다.

공정 미세화의 한계를 극복할 수 있는 신소재·신구조에 대한 연구·개발(R&D)을 강화하고, 반도체 미세화에 유리한 극자외선(EUV) 기술을 조기에 도입하는 등 첨단기술을 선제적으로 적용할 방침이다.

삼성전자는 지난해 10월 EUV 공정을 적용한 14나노미터(nm) D램 양산을 발표했다. 삼성전자는 자사 14nm D램이 마이크론의 10나노급 4세대 D램보다 선폭이 더 짧아 마이크론에 비해 앞서 기술력을 확인했다고 설명했다.

또 삼성전자는 14nm D램 생산에 EUV 장비를 활용하는 레이어를 5개로 확대했다. 멀티 레이어 공정을 사용한 업체는 삼성전자가 최초다. 삼성전자는 경쟁 업체의 거센 추격 속에서도 앞선 기술력을 바탕으로 D램 시장 점유율을 끌어올리며 1위 자리를 '수성'할 계획이다.

팹리스 시스템 반도체는 삼성이 메모리에 비해 취약한 분야다. 이재용 부회장이 2030년 1위라는 목표를 제시했지만 중앙처리장치(CPU)는 인텔, 그래픽처리장치(GPU)는 엔비디아, 시스템온칩(SoC)은 퀄컴, 이미지센서는 소니 등 각 분야별 강자들이 포진해 있어 시장 점유율을 확대하기가 어려운 상황이다.

삼성전자는 주요 팹리스 시스템반도체 사업 중 모바일SoC, 이미지센서 등은 1등 업체들과 자사의 시장 격차는 크다고 인정했지만, 투자와 R&D를 통해 기술 격차를 줄이며 성장 가능성을 제고하고 있다고 강조했다.

이미지센서의 경우 올해 삼성전자의 매출 점유율은 24.9%로 2위를 차지할 전망이다. 그동안 1위인 소니는 40%대, 삼성은 20%대 초반이었지만 올해는 격차가 줄어들 것으로 예상된다.

5G 모뎀(통신칩)도 업계 최초로 개발하는 등 팹리스 시스템반도체 사업에서도 '1등' , '최초'의 영역을 확대하고 있다.

삼성전자 관계자는 "삼성이 팹리스 시스템반도체 1등으로 도약한다면 팹리스, 디자인 하우스, 패키징, 테스트 등 '팹리스 시스템반도체 생태계'의 동반성장을 이끌 것"이라고 기대했다.

파운드리는 선단공정 중심의 기술 개발·투자를 통해 미래시장을 개척한다. 기존에 없던 차별화된 차세대 생산 기술을 개발·적용해 3나노 이하 제품을 조기 양산할 계획이다. 차세대 패키지 기술 확보로 연산칩과 메모리가 함께 탑재된 융복합 솔루션을 개발해 업계 선두권 도약의 발판을 마련하기로 했다.

삼성 관계자는 "선제적 투자 및 차별화된 기술력, 새로운 시장 창출로 '반도체 초강대국' 달성을 주도해 국가경제 발전에 기여할 계획"이라며 "4차 산업혁명 핵심 기반기술인 반도체 산업에서 한국 반도체가 '한국 경제의 성장판' 역할을 지속할 수 있도록 지원하는 의미도 있다"고 강조했다.

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